什么是晶圓級(jí)封裝？

隨著AI對(duì)更強(qiáng)大計(jì)算的需求增加，以及半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入在封裝中使用多個(gè)“Chiplet”的異構(gòu)時(shí)代，封裝更加復(fù)雜和精密，對(duì)信號(hào)傳輸速度、功率傳輸、設(shè)計(jì)規(guī)則和封裝基板穩(wěn)定性的改進(jìn)將至關(guān)重要。

晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging，縮寫(xiě)WLP)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，與打線型（Wire-Bond）和倒裝型（Flip-Chip）封裝技術(shù)相比，能省去打金屬線、外延引腳（如QFP）、基板或引線框等工序。

晶圓級(jí)封裝具有以下優(yōu)點(diǎn)：

封裝尺寸小

由于沒(méi)有引線、鍵合和塑膠工藝，封裝無(wú)需向芯片外擴(kuò)展，使得WLP的封裝尺寸幾乎等于芯片尺寸。

高傳輸速度

與傳統(tǒng)金屬引線產(chǎn)品相比，WLP一般有較短的連接線路，在高速和高頻情況下，表現(xiàn)較好。

高密度連接

WLP可運(yùn)用數(shù)組式連接，芯片和電路板之間連接不限制于芯片四周，提高單位面積的連接密度。

生產(chǎn)周期短

WLP從芯片制造到、封裝到成品的整個(gè)過(guò)程中，中間環(huán)節(jié)大大減少，生產(chǎn)效率高，周期縮短很多。

工藝成本低

WLP是在硅片層面上完成封裝測(cè)試的，以批量化的生產(chǎn)方式達(dá)到成本最小化的目標(biāo)。

重新分配層（RDL）技術(shù)

晶圓級(jí)封裝方法可分為四種不同類(lèi)型：

晶圓級(jí)芯片封裝（WLCSP）

可直接在晶圓頂部形成導(dǎo)線和錫球（Solder Balls），無(wú)需基板。

重新分配層（RDL）

使用晶圓級(jí)工藝重新排列芯片上的焊盤(pán)位置1，焊盤(pán)與外部采取電氣連接方式。

倒片（Flip Chip）封裝

在晶圓上形成焊接凸點(diǎn)2進(jìn)而完成封裝工藝。

硅通孔（TSV）封裝

通過(guò)硅通孔技術(shù)，在堆疊芯片內(nèi)部實(shí)現(xiàn)內(nèi)部連接。

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晶圓級(jí)封裝的分類(lèi)

RDL的全稱(chēng)是（ReDistribution Layer）重布線層，RDL重布線層作為晶圓級(jí)封裝中的核心技術(shù)，起著XY平面電氣延伸和互聯(lián)的作用。RDL是將原來(lái)設(shè)計(jì)的芯片線路接點(diǎn)位置(I/O pad)，通過(guò)晶圓級(jí)金屬布線制程和凸塊制程改變其接點(diǎn)位置，使芯片能適用于不同的封裝形式。

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明陽(yáng)電路在RDL技術(shù)的布局

基于明陽(yáng)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局，先進(jìn)封裝載板與測(cè)試板進(jìn)行工藝技術(shù)研發(fā)。

當(dāng)前工藝主要分為tenting，mSAP，SAP三種，Tenting制程由于蝕刻工藝的限制，通常難以制作線寬/線距小于30/30μm的線路，mSAP制程的是在超薄銅箔上進(jìn)行線路銅的加厚，隨后通過(guò)閃蝕工得到完整的導(dǎo)電線路。具有制作線寬/線距小至25/25μm及以下的產(chǎn)品的能力，SAP流程與MSAP類(lèi)似，但底銅更薄，可制作15/20μm的產(chǎn)品。

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RDL技術(shù)可以制作更小的線路，調(diào)整陣列排布，是未來(lái)半導(dǎo)體領(lǐng)域重點(diǎn)技術(shù)之一。RDL技術(shù)相較于MSAP/SAP工藝的優(yōu)點(diǎn)是將鉆孔轉(zhuǎn)為光刻成孔，具備更高精度，可以制作更小的孔，且使用的光刻膠與PI膠的解析度高于干膜，可以制作更小的線路。

明陽(yáng)中央實(shí)驗(yàn)室對(duì)RDL進(jìn)行了深入的研究，建立了一條包含磁控濺射，光刻，勻膠顯影，電鍍蝕刻的試驗(yàn)線。